NANOCOM

Présentation

PLATEFORME DE CARACTÉRISATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS INTÉGRÉS : 

La plateforme NANOCOM, membre du réseau RF-Net, est dédiée à la caractérisation des composants et circuits intégrés sur des technologies silicium (CMOS SOI, BiCMOS SiGe) ou III-V (InP, AsGa) sous pointes ou en connectorisé. Elle permet l'extraction des figures de mérite de circuit de type LNA, PA, mélangeur, VCO... et l’extraction de paramètres pour la modélisation de composants passifs ou actifs comme les diodes ou transistors dans le domaine des radiofréquences. Avec ses bancs d’essai et équipements dédiés, elle propose des tests en grand signal jusqu’à 170 GHz et en petit signal jusqu’à 500 GHz. Pour cela, elle s’appuie sur un ingénieur d’étude qui intervient sur différents bancs expérimentaux représentant 3 M€ d’équipements répartis sur une surface d’environ 200 m². NANOCOM bénéficie d’investissements réguliers des programmes de la région Nouvelle Aquitaine et de l’Europe.